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SiLM27517H

单通道（dào） 20V, 4A/5A 高欠压保护低边（biān）门极驱动器

样片申（shēn）请

SiLM27517H-AQ Datasheet SiLM27517H Datasheet

产品概述

产品特性

安（ān）规认证

典型应用图

产品概述

SiLM27517H 系列是单通道高欠（qiàn）压保护低边门极驱动器，可有（yǒu）效驱动MOSFET和IGBT等功率开关。SiLM27517H 采用一种能够从内部（bù）极大的降低直通（tōng）电流的（de）设计（jì），将高峰值的源电流和灌电流脉（mò）冲提供给电容负载，以（yǐ）实现轨（guǐ）到轨的驱动能力（lì）和典型值仅为 18ns 的（de）极小传播延迟（chí）。

SiLM27517H 在 15V 的（de） VDD 供电情况下，能够提供（gòng） 4A 的（de）峰值源电（diàn）流（liú）和 5A 的峰（fēng）值灌电流（liú）。SiLM27517H 欠压锁定（dìng）保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产（chǎn）品特性

低成（chéng）本的（de）门极驱动方（fāng）案可用于（yú）替代 NPN和 PNP 分离器件方案

4A的（de）峰（fēng）值源电流和 5A 的峰值灌（guàn）电（diàn）流能力（lì）

快速的传播延时（典型值（zhí）为 18ns）

快速的（de）上升和下降时间（典型值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电源范（fàn）围（wéi）

SiLM27517H 欠压（yā）锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值

双输入设计(可（kě）选择（zé）反相（xiàng）或非反相驱动配置)

输入浮空时输（shū）出保持（chí）为低

工作温度范围为 -40°C 到（dào） 140°C