SiLM27512器件是单（dān）通（tōng）道高速低边（biān）门极驱（qū）动器，可有效（xiào）驱动MOSFET和IGBT等功（gōng）率开关。SiLM27512采用一种能够从内（nèi）部极大的降低直（zhí）通电流的设计，将高峰值的源电流和灌电流脉冲提（tí）供给电（diàn）容负载（zǎi），以（yǐ）实现轨到轨的驱动能力（lì）和典型值仅为 18ns 的极（jí）小传播延迟。
SiLM27512在12V的VDD供电情（qíng）况下，能够提（tí）供（gòng）4A的峰（fēng）值源电流和5A的（de）峰（fēng）值灌电流（liú）。
低（dī）成本的门极驱动方案可用于（yú）替（tì）代 NPN和 PNP 分离器件方案
4A 的峰值（zhí）源电流（liú）和（hé）5A的峰值灌（guàn）电流能力
快速的（de）传输延时（典型值为 18ns）
快（kuài）速的上升和下降时（shí）间（jiān）（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的（de）单电源范围
VDD 欠压（yā）闭锁（suǒ）功能（néng）
兼容 TTL 和 CMOS 的输（shū）入逻辑（jí）电压阈值
双输入设（shè）计（jì）(可选（xuǎn）择反（fǎn）相或非反相驱动配置)
输入浮空（kōng）时输出保持为低
工作温（wēn）度范围为 -40°C 到140°C
提供DFN3x3-6 的（de）封装选项
400 080 9938
