SiLM2660/61是用于电池充电/放（fàng）电系统控制的低功耗、高边N沟道FET驱（qū）动器。高（gāo）边（biān）保护（hù）功能（néng）可（kě）避免（miǎn）系（xì）统（tǒng）的接（jiē）地引脚断（duàn）开连接，以确（què）保电池组和主机系统之间的持（chí）续通信（xìn）。SiLM2660具有（yǒu）额外的PFET控制输出，以允许对深度放（fàng）电的电池进行低电流（liú）预充电，并且还集成了用于主机（jī）监（jiān）控的电池（chí）PACK+电压检测。
独（dú）立的（de）使能输入接口允许电池（chí）充（chōng）电和放（fàng）电FET分别导通和关断，为电（diàn）池（chí）系（xì）统保护提供可靠性和（hé）设计灵活性。
高边NFET驱动器（qì），具有极短的开启和关闭时间，用于迅（xùn）速保护电池（chí）。
预充电PFET驱（qū）动（dòng）器为（wéi）深度耗尽的电池组提供电流（liú）限（xiàn）制的（de）预（yù）充电（diàn）功能(仅适（shì）用于SiLM2660)。
充（chōng）电和（hé）放（fàng）电的独立使能控制。
基（jī）于（yú）外部电容器可扩展（zhǎn）的电荷（hé）泵，可适用（yòng）多（duō）颗NFET并联驱动。
高的输入耐压值（最大100V）。
可配置（zhì）的电池（chí）组电压检测功能（仅适用于SiLM2660）。
支持可配置的（de）通用和独立充电和放电路径管理（lǐ）。
低功耗：正常模式：40uA；待机模式：小于（yú）10uA。
400 080 9938
