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SiLM2024

200V, 290/600mA 半（bàn）桥驱动

样片申请

SiLM2024 Datasheet

产品（pǐn）概（gài）述

产（chǎn）品特性

安规认证

典型应用图

产（chǎn）品概述

SiLM2024 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器（qì）。采用专有（yǒu）的高压集成电路和（hé）锁存免（miǎn）疫的CMOS技术可提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入（rù）电平与标准CMOS或LSTTL输出（chū）兼（jiān）容（róng），最低支（zhī）持3.3V逻辑。输出（chū）驱动器（qì）具有（yǒu）高脉冲电流缓冲级（jí），以减小驱动器（qì）交叉导通。浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电（diàn）压可高达（dá）200V。

产品特性（xìng）

为自举（jǔ）操作设计的（de）浮动通道

完全运行时电（diàn）压高（gāo）达 200V

容（róng）许瞬间负电（diàn）压，不受 dV/dt 影（yǐng）响

驱动电源范围从 10V 到 20V

欠压闭锁

3.3V、5V、15V逻辑输入（rù）兼容

驱动（dòng）电（diàn）流：290mA/600mA

典型的开（kāi）通/关断（duàn）延时（shí）：680 ns/150 ns

死（sǐ）区时间：520 ns

防止交叉导通逻（luó）辑

两通道间匹配（pèi）传（chuán）输延迟（chí）