SiLM27519 器件（jiàn）是单（dān）通道高速低边门（mén）极驱动器，可（kě）有效（xiào）驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率开关。SiLM27519 采用一种能够从内（nèi）部极大的降低直通电流的设计，将高峰值的源（yuán）电流和灌电（diàn）流脉冲提供给电容（róng）负载，以（yǐ）实现轨到轨的驱动能（néng）力（lì）和典型值仅为 18ns 的（de）极小传（chuán）播延迟（chí）。
SiLM27519 在 12V 的 VDD 供（gòng）电情况下，能够提供 4A 的峰（fēng）值源电（diàn）流和（hé） 5A 的峰值灌电流。
低成本的门极驱动方案可用（yòng）于替代 NPN 和 PNP 分离器件方案
4A 的（de）峰值源电流和 5A 的峰值灌电流能力
快速的传（chuán）输延时（典型值为（wéi） 18ns）
快速的上升和下降时间（典（diǎn）型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范（fàn）围
VDD 欠（qiàn）压闭（bì）锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值
双输入设（shè）计(可选择反相或非反相（xiàng）驱动配置)
输入（rù）浮空时输出保（bǎo）持为低
工作温度（dù）范围为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-5 的（de）封装选项
400 080 9938
